RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Panram International Corporation M424016 4GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Panram International Corporation M424016 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Panram International Corporation M424016 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
104
Rund um -235% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.9
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
9.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2035
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB RAM-Vergleiche
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.AZC0B 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CMT16GX4M2K4000C19 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link