RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
13.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
34
104
Rund um -206% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
34
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
13.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.9
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2608
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6JJR8N-VK 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Micron Technology 8KTF51264HZ-1G6E1 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRK 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX3733C19D4/8GX 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1AV 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link