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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
13.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,404.5
12.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
104
Por volta de -206% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
12.9
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2608
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
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Kingston ASU21D4U5S8MB-8 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KP6FH5-MIE 32GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]192[F/T] 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905734-022.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333+ 2GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4JTF12864AZ-1G4D1 1GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB
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