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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
PNY Electronics PNY 2GB
Pontuação geral
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
PNY Electronics PNY 2GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.8
9.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.4
6.8
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
27
27
Velocidade de leitura, GB/s
13.8
9.7
Velocidade de escrita, GB/s
8.4
6.8
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2274
1767
PNY Electronics PNY 2GB Comparações de RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Gloway International (HK) STK4U2133D15081C 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Kingston X5H5PW-MIB 8GB
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