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PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
9.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
6.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
27
Velocità di lettura, GB/s
13.8
9.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
6.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1767
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
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SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
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