RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
このサイトについて
ja
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

PNY Electronics PNY 2GB vs Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

総合得点
star star star star star
PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

総合得点
star star star star star
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

相違点 仕様 コメント

相違点

PNY Electronics PNY 2GB 考慮すべき理由
PNY Electronics PNY 2GB
バグを報告する
  • 読み出し速度の高速化、GB/s
    13.8 left arrow 9.7
    テスト平均値
  • 書き込み速度の高速化、GB/s
    8.4 left arrow 6.8
    テスト平均値
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB 考慮すべき理由
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
バグを報告する
  • より高いメモリ帯域幅、mbps
    17000 left arrow 10600
    周辺 1.6 高帯域

仕様

技術仕様の完全リスト
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB
主な特徴
  • メモリータイプ
    DDR3 left arrow DDR4
  • PassMarkにおけるレイテンシー、ns
    27 left arrow 27
  • 読み出し速度、GB/s
    13.8 left arrow 9.7
  • 書き込み速度、GB/秒
    8.4 left arrow 6.8
  • メモリ帯域幅、mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • 商品説明
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • タイミング / クロック速度
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • ランキングPassMark（多ければ多いほど良い）
    2274 left arrow 1767

PNY Electronics PNY 2GB RAMの比較

Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB RAMの比較

Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

最新の比較

Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
Kingston 9905630-007.A00G 8GB
メモリRAM
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
Corsair CMWX8GD3000C16W4D 8GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
メモリRAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
メモリRAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
メモリRAM
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
Panram International Corporation PUD42133C154G2VS 4GB
メモリRAM
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FP 16GB
メモリRAM
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
Corsair CMK16GX4M1D3000C16 16GB
メモリRAM
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
メモリRAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
メモリRAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
メモリRAM
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
メモリRAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
メモリRAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
メモリRAM