RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
104
Rund um -181% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
15.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.5
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3075
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAM-Vergleiche
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston 9905701-004.A00G 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GVSB 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link