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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

总分
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Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

总分
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Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB

差异 规格 评论

差异

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB 需要考虑的原因
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
报告一个错误
  • 更快的读取速度，GB/s
    3 left arrow 15.8
    测试中的平均数值
  • 更快的写入速度，GB/s
    2,404.5 left arrow 13.5
    测试中的平均数值
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB 需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
报告一个错误
  • 低于PassMark测试中的延时，ns
    37 left arrow 104
    左右 -181% 更低的延时
  • 更高的内存带宽，mbps
    25600 left arrow 6400
    左右 4 更高的带宽

规格

完整的技术规格清单
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
主要特点
  • 存储器类型
    DDR2 left arrow DDR4
  • PassMark中的延时，ns
    104 left arrow 37
  • 读取速度，GB/s
    3,192.0 left arrow 15.8
  • 写入速度，GB/s
    2,404.5 left arrow 13.5
  • 内存带宽，mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • 描述
    PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • 时序/时钟速度
    no data left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • 排名PassMark (越多越好)
    786 left arrow 3075

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM的比较

takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB

Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB RAM的比较

Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
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内存RAM
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
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G Skill Intl F4-3600C17-8GVK 8GB
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内存RAM
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
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Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
内存RAM
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
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Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
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内存RAM
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
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Kingston 9965690-002.A00G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
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Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
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内存RAM
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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