RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
104
Rund um -373% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
12.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3075
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB RAM-Vergleiche
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32GK 16GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GIS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKW 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMWX8GF2933Z19W8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link