RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
14
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
104
Rund um -300% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.4
2,404.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
14.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
8.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
2163
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Smart Modular SMS4WEC8C1K0446FCG 8GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO2P21FC4R1-BRFS 4GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Corsair CMK16GX4M2E4333C19 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston CBD24D4S7D8ME-16 16GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZSK 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link