RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
57
69
Rund um -21% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.7
1,441.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
5300
Rund um 4.83 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
69
57
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,325.1
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,441.2
13.7
Speicherbandbreite, mbps
5300
25600
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
525
2792
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-3C 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFT 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2SU416R 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingston 9905744-066.A00G 32GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3600C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C15-8GTZ 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link