RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Gesamtnote
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Gesamtnote
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
104
Rund um -247% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
104
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,192.0
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,404.5
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
786
3188
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB RAM-Vergleiche
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMT16GX4M2C3466C16 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Kingston 9905743-023.A00G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G6D1 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK32GX4M1D3000C16 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905678-173.A00G 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link