Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Gesamtnote

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gesamtnote

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Unterschiede

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

3 20

Durchschnittswert bei den Tests

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Gründe für die Berücksichtigung
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

53 104

Rund um -96% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

9.4 2,404.5

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 6400

Rund um 3 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB

Wichtigste Merkmale

Speicherart

DDR2 DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns

104 53
Lesegeschwindigkeit, GB/s

3,192.0 20.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s

2,404.5 9.4
Speicherbandbreite, mbps

6400 19200

Other

Beschreibung

PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

no data 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

786 2366

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

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