RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Comparar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB vs V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Pontuação geral
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Pontuação geral
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
53
104
Por volta de -96% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.4
2,404.5
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
104
53
Velocidade de leitura, GB/s
3,192.0
20.0
Velocidade de escrita, GB/s
2,404.5
9.4
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC-6400, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
no data
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
786
2366
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB Comparações de RAM
takeMS International AG TMS2GS264D081805AV 2GB
Micron Technology 8HTF12864HDZ-800E1 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB Comparações de RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Corsair CMZ32GX3M4A1600C9 8GB
Corsair CMT32GX3M4X1866C9 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9965600-012.A01G 16GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link