RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Gesamtnote
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
2
17.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
14.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
30
75
Rund um -150% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
75
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
2,730.3
17.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,072.7
14.8
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC-5300, PS1: 1.5V, PS2: 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
no data
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
858
3606
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB RAM-Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE65 2GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-16GVK 16GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CMT32GX4M4C3200C16 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
AMD R748G2606U2S 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link