Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB vs Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Gesamtnote
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Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Kingston 9965657-011.A00G 16GB

Unterschiede

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
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  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 11.6
    Durchschnittswert bei den Tests
Kingston 9965657-011.A00G 16GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    33 left arrow 67
    Rund um -103% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.2 left arrow 1,122.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    19200 left arrow 5300
    Rund um 3.62 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Kingston 9965657-011.A00G 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    67 left arrow 33
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,058.7 left arrow 11.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,122.9 left arrow 9.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 19200
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    317 left arrow 2102
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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