Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB vs Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Gesamtnote
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Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB

Gesamtnote
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Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB

Unterschiede

Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    67 left arrow 97
    Rund um 31% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2 left arrow 15.2
    Durchschnittswert bei den Tests
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.2 left arrow 1,122.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 5300
    Rund um 4.02 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864EH3-CE6 1GB
Kingston SMD4-S8G48HJ-26V 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    67 left arrow 97
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    2,058.7 left arrow 15.2
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    1,122.9 left arrow 8.2
  • Speicherbandbreite, mbps
    5300 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 667 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    317 left arrow 1632
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche