RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
65
126
Rund um 48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.5
1,574.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
126
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,858.9
12.9
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,574.4
6.5
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
607
1108
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB RAM-Vergleiche
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Samsung M393A1K43BB0-CRC 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTZRB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link