RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
65
126
Wokół strony 48% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
12.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.5
1,574.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
5300
Wokół strony 3.62 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
126
Prędkość odczytu, GB/s
3,858.9
12.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,574.4
6.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
5300
19200
Other
Opis
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
607
1108
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FAR 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5663-006.A00G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Samsung M378A1K43EB2-CVF 8GB
AMD R5S34G1601U1S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link