RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
65
Rund um -124% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,574.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
5300
Rund um 3.62 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,858.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,574.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
19200
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
607
2553
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905734-082.A00G 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16XR 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBR1 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVR 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C19 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Jinyu 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link