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Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
总分
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
3
15.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
29
65
左右 -124% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
12.0
1,574.4
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
5300
左右 3.62 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Asgard VMA41UF-MEC1U2BQ2 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
29
读取速度,GB/s
3,858.9
15.7
写入速度,GB/s
1,574.4
12.0
内存带宽,mbps
5300
19200
Other
描述
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
607
2553
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STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston ASU21D4U5S1MB-4 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Kingston 9905712-034.A00G 16GB
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