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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
比较
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB vs Maxsun MSD48G30M3 8GB
总分
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
总分
Maxsun MSD48G30M3 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
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需要考虑的原因
Maxsun MSD48G30M3 8GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
33
73
左右 -121% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.4
6.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.6
4.7
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
8500
左右 2.51 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
73
33
读取速度,GB/s
6.1
14.4
写入速度,GB/s
4.7
11.6
内存带宽,mbps
8500
21300
Other
描述
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
1021
3105
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C14D4/16G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3E1 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 99U5700-027.A00G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology C 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
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