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AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
比较
AMD R538G1601U2S 8GB vs Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
总分
AMD R538G1601U2S 8GB
总分
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
AMD R538G1601U2S 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
19
35
左右 46% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
18.4
17
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
12.3
11.5
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
19
35
读取速度,GB/s
18.4
17.0
写入速度,GB/s
12.3
11.5
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
3189
2699
AMD R538G1601U2S 8GB RAM的比较
Nanya Technology M2X4G64CB8HG5N-DG 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB RAM的比较
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Zotac Technology Ltd OD48G32S816-ZHC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
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