RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
33
65
Rund um -97% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.0
1,574.4
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
65
33
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,858.9
16.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,574.4
12.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
607
3013
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-2800C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-2800C14-16GTZ 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Kingston KHX8500D2K2/2GN 1GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link