RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Compara
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Puntuación global
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Puntuación global
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
16.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
33
65
En -97% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.0
1,574.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
5300
En 4.02 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
33
Velocidad de lectura, GB/s
3,858.9
16.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,574.4
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
5300
21300
Other
Descripción
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
607
3013
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Corsair CMD8GX4M2B3000C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRWWK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14C 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M4A2666C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9905678-028.A00G 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link