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Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Compara
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Puntuación global
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Puntuación global
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
30
En 17% menor latencia
Razones a tener en cuenta
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.8
16.1
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
13.5
10.1
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
12800
En 1.33 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR3
DDR4
Latencia en PassMark, ns
25
30
Velocidad de lectura, GB/s
16.1
17.8
Velocidad de escritura, GB/s
10.1
13.5
Ancho de banda de la memoria, mbps
12800
17000
Other
Descripción
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2764
3273
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Comparaciones de la memoria RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GVSB 4GB
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