RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Porównaj
Samsung 1600 CL10 Series 8GB vs Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Wynik ogólny
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Wynik ogólny
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
30
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
17.8
16.1
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
10.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
25
30
Prędkość odczytu, GB/s
16.1
17.8
Prędkość zapisu, GB/s
10.1
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2764
3273
Samsung 1600 CL10 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F3-14900CL10-8GBXL 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9905622-058.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205F 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link