RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Compara
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Puntuación global
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
3
20.5
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
50
En -108% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
17.0
1,457.4
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
50
24
Velocidad de lectura, GB/s
3,757.3
20.5
Velocidad de escritura, GB/s
1,457.4
17.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
557
4064
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Ramaxel Technology RMSA3300ME78HBF-2666 16GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M378A1K43BB1-CRC 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M393A2K40BB0-CPB 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Aquarius Production Company LLC 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link