RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Comparar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Pontuação geral
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Pontuação geral
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
20.5
Valor médio nos testes
Razões a considerar
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
24
50
Por volta de -108% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
17.0
1,457.4
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
6400
Por volta de 2.66 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
50
24
Velocidade de leitura, GB/s
3,757.3
20.5
Velocidade de escrita, GB/s
1,457.4
17.0
Largura de banda de memória, mbps
6400
17000
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
557
4064
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Comparações de RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905598-040.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Mushkin MR[A/B]4U266GHHF16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1A2 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link