RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Porównaj
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Wynik ogólny
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
3
20.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
50
Wokół strony -108% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.0
1,457.4
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
24
Prędkość odczytu, GB/s
3,757.3
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,457.4
17.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
557
4064
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZ 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E82-3200D 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2133C13 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905713-030.A00G 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link