RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
64
74
Rund um -16% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
64
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
8.3
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2107
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905403-003.B00LF 4GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-16X 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BPYS 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7W0B 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CWE 16GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link