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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
17.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
64
74
左右 -16% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
8.3
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
64
读取速度,GB/s
4,178.4
17.6
写入速度,GB/s
2,201.1
8.3
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2107
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
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Kingston 9965589-031.D01G 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
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G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
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G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston XF875V-HYA 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GS1NCIK 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGSA8A-32N2200 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
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