RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
74
Rund um -131% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
18.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
13.4
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3356
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB RAM-Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston MSI24D4U7D8MD-16 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9905702-007.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link