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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
18.5
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
13.4
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
32
74
左右 -131% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M1Z3600C18 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
32
读取速度,GB/s
4,178.4
18.5
写入速度,GB/s
2,201.1
13.4
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
3356
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
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Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Essencore Limited KD4AGS88C-26N1900 16GB
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G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2666C15/8G 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston 9905624-025.A00G 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
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