RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
18.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
31
74
Rund um -139% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
31
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3560
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMW64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G1L2666A18S4 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link