RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
18.4
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
15.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
31
74
Por volta de -139% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
31
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
18.4
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
15.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
3560
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FH 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Nanya Technology M2F4G64CB8HG4N-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3200 8GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
SK Hynix HMT41GU6DFR8A-PB 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C18 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRKD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965589-026.D00G 8GB
Mushkin 991586 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link