RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
13.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
74
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
13.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2467
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6D1 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston MSI26D4S9S8ME-8 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD2 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16SA/8G 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link