RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
17.4
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
77
Rund um -175% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
5300
Rund um 3.21 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
77
28
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,405.2
17.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,622.0
12.6
Speicherbandbreite, mbps
5300
17000
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
763
3085
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB RAM-Vergleiche
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFX 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Panram International Corporation W4U3200PS-16G 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FE 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2400C14 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston 9905598-019.A00G 16GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link