RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Confronto
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,622.0
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
77
Intorno -175% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
77
28
Velocità di lettura, GB/s
3,405.2
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,622.0
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
763
3085
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS2GB264D082805EQ 2GB
Southland Microsystems 40002105-01 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVS 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K4 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 9905630-066.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston KHX2133C14S4/8G 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SpecTek Incorporated 16G 2666 CL 19 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link