RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
17.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
74
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
17.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3529
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVKA 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R021D408GX2-3600C18D 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-033.D00G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link