RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB против G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
4
17.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
2,201.1
15.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
74
Около -100% меньшая задержка
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
74
37
Скорость чтения, Гб/сек
4,178.4
17.5
Скорость записи, Гб/сек
2,201.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
508
3529
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Сравнения RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC8T1-BSFS 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393A2K43BB1-CRC 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link