RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
48
74
Rund um -54% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
48
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
16.8
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
15.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
3047
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240082 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FDR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZN 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology 78.C2GF6.AU20B 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.16FBD2 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link