RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Porównaj
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Wynik ogólny
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
48
74
Wokół strony -54% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
74
48
Prędkość odczytu, GB/s
4,178.4
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
2,201.1
15.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
508
3047
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-WM 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-UH 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Corsair CMK128GX4M4E3200C16 32GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G133381 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KF3600C18D4/32GX 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link