RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
16.3
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
25
74
Rund um -196% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.2
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
6400
Rund um 3.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
25
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
9.2
Speicherbandbreite, mbps
6400
21300
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2614
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston LV32D4U2S8HD-8X 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd CL-W262-CA00SW-A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471A2K43CB1-CTD 16GB
SK Hynix HMA82GS6JJR8N-VK 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8RRGB16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston KHX2400C15/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4000C19A 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C2GFK.AR20B 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Panram International Corporation PUD43000C164G2NJK 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Crucial Technology CT32G48C40U5.M16A1 32GB
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link