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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.1
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
35
74
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
6400
Rund um 4 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
11.1
Speicherbandbreite, mbps
6400
25600
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2855
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
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Wilk Elektronik S.A. IRX2666D464L16S/8G 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
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