RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Comparar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Pontuação geral
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Pontuação geral
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
4
14.7
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
2,201.1
11.1
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
35
74
Por volta de -111% menor latência
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
6400
Por volta de 4 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
74
35
Velocidade de leitura, GB/s
4,178.4
14.7
Velocidade de escrita, GB/s
2,201.1
11.1
Largura de banda de memória, mbps
6400
25600
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
508
2855
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB Comparações de RAM
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB Comparações de RAM
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston 9905734-102.A00G 32GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link