RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
10.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
37
74
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
37
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
14.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
10.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2591
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hewlett-Packard 48U45AA# 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKK 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
AMD R748G2400S2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.M8FADM 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFST.16FD 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815GK 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information TS512MLH64V4H 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link