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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
14.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,201.1
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
37
74
左右 -100% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
19200
6400
左右 3 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
37
读取速度,GB/s
4,178.4
14.2
写入速度,GB/s
2,201.1
10.7
内存带宽,mbps
6400
19200
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2591
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Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
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G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
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