RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Gesamtnote
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
24
74
Rund um -208% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
5.6
2,201.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
24
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,178.4
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,201.1
5.6
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
508
2130
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6EFR8C
Kingston HX316C10F/8 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17/16G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CM4X8GD3000C16K4 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 99U5712-009.A00G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link