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Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
比较
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
总分
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
总分
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
12.6
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
24
74
左右 -208% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
5.6
2,201.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
74
24
读取速度,GB/s
4,178.4
12.6
写入速度,GB/s
2,201.1
5.6
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
508
2130
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB RAM的比较
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
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Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston KH2400C15D4/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-2933 16GB
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